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产品简介:
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M29W400DB55N6F TR是美光科技(Micron Technology, Inc.)生产的一款NOR型闪存存储器芯片,容量为4Mbit,采用55纳米制造工艺,工作电压为2.7V至3.6V,适用于嵌入式系统的代码存储和数据存储。 该芯片广泛应用于需要可靠非易失性存储的场景,如工业控制设备、通信模块、消费电子产品、汽车电子系统等。例如,在工业自动化设备中,用于存储固件和关键参数;在Wi-Fi或蓝牙模块中,用于保存启动代码和配置信息;在智能电表中,用于记录用电数据和设备状态;在车载导航和娱乐系统中,用于存储操作系统和应用程序。 由于其低功耗设计和宽温工作范围,M29W400DB55N6F TR也适用于对稳定性和耐用性要求较高的环境,如户外设备和车载系统。此外,其SPI接口版本便于与主控芯片连接,简化电路设计,提高系统集成度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | M29W400DB55N6F TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | FLASH - NOR |
| 存储容量 | 4M(512K x 8,256K x 16) |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |